تستخدم صناعة الخلايا الكهروضوئية المواد الخام مسحوق كربيد السيليكون الأسود كربيد
السيليكون موجود في حوالي 250 شكل بلوري. يتميز تعدد أشكال SiC بعائلة كبيرة من الهياكل البلورية المماثلة تسمى polytypes. إنها أشكال مختلفة من نفس المركب الكيميائي متطابقة في بعدين وتختلف في البعد الثالث. وبالتالي ، يمكن اعتبارها طبقات مكدسة في تسلسل معين.
كربيد السيليكون ألفا (α-SiC) هو متعدد الأشكال الأكثر شيوعًا ؛ يتكون عند درجات حرارة تزيد عن 1700 درجة مئوية وله بنية بلورية سداسية (على غرار Wurtzite). يتم تشكيل تعديل بيتا (β-SiC) ، بهيكل بلوري من مزيج الزنك (على غرار الماس) ، عند درجات حرارة تقل عن 1700 درجة مئوية. حتى وقت قريب ، كان للشكل بيتا عدد قليل نسبيًا من الاستخدامات التجارية ، على الرغم من وجود اهتمام متزايد الآن باستخدامه كدعم للمحفزات غير المتجانسة ، نظرًا لارتفاع مساحة سطحه مقارنة بشكل ألفا.
مواصفات كربيد السيليكون
| حجم الجسيمات | توزيع الجسيمات (ميكرومتر) | |||
| الحد الأقصى لحجم الجسيمات | حجم الجسيمات في d 03 | حجم الجسيمات في د 50 | حجم الجسيمات في d 94 | |
| رقم 240 | 127 | 103 | 58.6 ± 3.0 | ≥ 40.0 |
| رقم 280 | 112 | ≤ 87.0 | 49.4 ± 3.0 | ≥ 33.0 |
| رقم 320 | ≤ 98.0 | ≤ 74.0 | 41.1 ± 2.5 | ≥ 27.0 |
| # 360 | ≤ 86.0 | ≤ 66.0 | 36.1 ± 2.0 | ≥ 23.0 |
| # 400 | ≤ 75.0 | ≤ 58.0 | 30.9 ± 2.0 | ≥ 20.0 |
| # 500 | ≤ 63.0 | ≤ 50.0 | 26.4 ± 2.0 | ≥ 16.0 |
| # 600 | ≤ 53.0 | ≤ 43.0 | 21.1 ± 1.5 | ≥ 13.0 |
| # 700 | ≤ 45.0 | ≤ 37.0 | 17.9 ± 1.3 | ≥ 11.0 |
| # 800 | ≤ 38.0 | ≤ 31.0 | 14.7 ± 1.0 | 9.00 ين ياباني |
| # 1000 | ≤ 32.0 | ≤ 27.0 | 11.9 ± 1.0 | 7.00 ين ياباني |
| # 1200 | ≤ 27.0 | ≤ 23.0 | 9.90 ± 0.80 | 5.50 |
| # 1500 | ≤ 23.0 | ≤ 20.0 | 8.40 ± 0.60 | ≥ 4.50 |
| # 2000 | ≤ 19.0 | ≤ 17.0 | 6.90 ± 0.60 | 4.00 ين ياباني |
| # 2500 | ≤ 16.0 | ≤ 14.0 | 5.60 ± 0.50 | 3.00 ين ياباني |
| # 3000 | ≤ 13.0 | ≤ 11.0 | 4.00 ± 0.50 | 2.00 ين ياباني |
| # 4000 | ≤ 11.0 | 8.00 ين ياباني | 3.00 ± 0.40 | ≥ 1.30 |
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.